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[组图]优化DC/DC转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET            【字体:
优化DC/DC转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET
作者:穆玉隆    文章来源:本站原创    点击数:    更新时间:2007-1-5    

新推出的这18款新型MOSFET可优化DC/DC转换并降低临界电流水平功耗。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电,DC/DC转换及高低端开关,如台式机、笔记本电脑和服务器中。

这些新型的30V、35~191A的器件是单个N-沟道MOSFET,提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小,降低导电和开关损耗,使电源效率更高。


器件参数:
其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装,其参数如下表所示:

其他10款新型功率MOSFET器件采用SO-8平引脚封装–带外露引脚框于背面使散热更佳,其参数如下表所示:
 

文章录入:穆玉隆    责任编辑:穆玉隆 
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